分数量子陈绝缘体的分类学研究
强关联电子
2012-08-30 v1
摘要
我们研究了四种不同的陈绝缘体模型在强电子排斥和部分填充下的行为。我们观察到所有情况在填充分数 1/3 处都表现出类 Laughlin 相。我们通过研究能量谱和纠缠谱为这种强关联拓扑相提供了证据。为了识别这些系统中 Laughlin 物理出现的关键因素，我们展示了调节能带结构时它们如何受到影响。我们还讨论了这一问题中 Berry 曲率平坦性的相关性。利用三体相互作用，我们展示了某些模型还可以承载类似于 Pfaffian Moore-Read 态的拓扑相。此外，我们在纠缠谱中识别了指示集团关联的结构。
引用
@article{arxiv.1111.1172,
title = {Zoology of Fractional Chern Insulators},
author = {Yang-Le Wu and B. Andrei Bernevig and N. Regnault},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.1172},
year = {2012}
}
备注
16 pages, 34 figures