六方氮化硼上锰装饰硅烯的电子性质
介观与纳米尺度物理
2013-12-19 v2 材料科学
摘要
我们利用第一性原理计算研究了六方氮化硼上的硅烯。由于六方氮化硼是半导体，其与硅烯的相互作用弱于金属衬底，因此有可能在硅烯中打开 50 meV 的带隙。我们进一步通过确定 onsite Hubbard 相互作用参数探讨了 Mn 装饰的影响，结果表明顶部位点和空心位点装饰的参数存在显著差异。文中详细分析了该体系中诱导的磁性。
引用
@article{arxiv.1311.1155,
title = {Electronic properties of Mn decorated silicene on hexagonal boron nitride},
author = {T. P. Kaloni and S. Gangopadhyay and N. Singh and B. Jones and U. Schwingenschlögl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1155},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 3 pages