拉普拉斯带电粒子聚集体的确定性生长模型

本文给出了在方形格点上确定性拉普拉斯生长模型框架内，同号带电粒子聚集体生长的计算机模拟结果。团簇生长由三个参数控制：${p, E,\lambda}$，其中 $p$ 为拉普拉斯生长参数，$E$ 为粒子粘附到团簇上的能量，$\lambda$ 为静电相互作用的屏蔽长度。在坐标 ${E,\lambda}$ 中构建了团簇生长的相图。划分了不同团簇形貌的区域：I 区为有限的 X 形结构区，II 区为受静电相互作用控制的无限制分支结构区，III 区为静电相互作用有效关闭的无限制结构区。给出了区域边界位置的简单静电估算。结果表明，在一般情况下，在 II 区内，$D_f$ 的连续变化受参数 ${p, E,\lambda}$ 控制。在退化极限下，当该模型转变为 Eden 模型的确定性版本（$p=0$）时，在穿过 I 区和 II 区之间的边界时，观察到从线性结构（$D_f=1$）到致密结构（$D_f=2$）的交叉。