无序驱动的金属 - 拓扑绝缘体相变的临界性
介观与纳米尺度物理
2013-06-11 v2 无序系统与神经网络
摘要
通过利用对局域化长度的标度分析，我们推导了由无序诱导的金属 - 拓扑绝缘体（TI）相变的临界指数。获得的指数 nu~2.7 与辛类系统中已确立的金属 - 普通绝缘体相变的值没有显著偏差。我们研究了载流子掺杂下的拓扑相图，以揭示所谓拓扑安德森绝缘体（TAI）区域的本质。我们还首次估算了金属-TAI 相变的临界指数，表明其在数值误差范围内与上述值无法区分。通过对称性考量，我们确定了 C4v 点群对称性系统中 Rashba 自旋轨道耦合的显式形式。
引用
@article{arxiv.1211.5026,
title = {Criticality of the metal-topological insulator transition driven by disorder},
author = {Ai Yamakage and Kentaro Nomura and Ken-Ichiro Imura and Yoshio Kuramoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.5026},
year = {2013}
}
备注
13 pages, 11 figures. Critical exponent of metal-topological Anderson insulator transition estimated