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带薄层角域中亥姆霍兹问题的任意阶渐近分析:一种代数方法

偏微分方程分析 2026-02-17 v2

摘要

我们考虑在部分覆盖有均匀薄层(厚度记为ε\varepsilon)的角形区域中的亥姆霍兹方程。本文提出解关于ε\varepsilon的任意阶渐近展开。使用匹配渐近展开,即在三个子域(角附近、薄层和其余区域)中引入解的不同渐近展开。这些展开通过匹配条件连接。角的存在使得这些匹配条件难以推导,因为场具有奇异行为。我们的方法是将这些匹配条件纯粹代数地重新表述,将所有渐近展开写成形式级数。通过代数计算,我们将匹配条件简化为联系场奇异行为的标量关系。这些关系具有卷积结构,并涉及一些可解析计算的系数。我们的渐近展开通过误差估计得到严格证明。

关键词

引用

@article{arxiv.2405.12883,
  title  = {Asymptotic analysis at any order of Helmholtz's problem in a corner with a thin layer: an algebraic approach},
  author = {Cédric Baudet},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2405.12883},
  year   = {2026}
}

备注

50 pages, 10 figures, accepted in Asymptotic Analysis, version 2 simplifies section 2.5