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4 次广义椭球面的 Gram 矩阵刻画

最优化与控制 2019-03-26 v2

摘要

在组合优化中研究最广泛的凸松弛之一是将割多面体 CN\mathscr C^N 松弛到椭球面 EN\mathscr E^N,这对应于在超立方体 {±1}N\{\pm 1\}^N 上优化二次型的两阶平方和 (SOS) 松弛。我们研究这一经典思想到 4 阶 SOS 的推广,它给出了一个中间松弛,我们称之为 4 次广义椭球面 E4N\mathscr E_4^N。我们的主要结果是向量集合的 Gram 矩阵属于 E4N\mathscr E_4^N 的充要条件。推论包括 2 阶与 4 阶伪矩矩阵之间的紧秩不等式,以及保证同时属于 EN\mathscr E^NE4N\mathscr E_4^NEN\mathscr E^N 的唯一极值点是割矩阵;即 EN\mathscr E^NE4N\mathscr E_4^N 不共享“伪”极值点。对于等角紧框架的 Gram 矩阵,我们给出属于 E4N\mathscr{E}_4^N 的简单判据。这产生了在 E4N\mathscr{E}_4^N 中满足但在 EN\mathscr{E}^N 中不满足的新不等式,其结构与 Schl\"{a}fli 图相关且不能作为三角不等式的线性组合得到。我们还给出了 Laurent 一个结果限制到 4 次的新的证明,该结果表明 E4N\mathscr{E}_4^N 不满足某些捕获奇偶约束的割多面体不等式。尽管限于这一特殊情况,我们对 Laurent 伪矩矩阵半正定性的证明简短且初等。我们的技术也表明 E4N\mathscr{E}_4^N 中的隶属关系与分块矩阵上的部分转置操作密切相关,后者在量子纠缠研究中曾起重要作用。为说明,我们给出了某些纠缠二分量子态与 E4NCN\mathscr{E}_4^N\setminus\mathscr{C}^N 中矩阵之间的对应。

关键词

引用

@article{arxiv.1812.11583,
  title  = {A Gramian Description of the Degree 4 Generalized Elliptope},
  author = {Afonso S. Bandeira and Dmitriy Kunisky},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1812.11583},
  year   = {2019}
}

备注

v2: Fix minor inaccuracies in cited results of Gerzon and Li/Tam; add link to code for computer-assisted portion