HZO/beta-Ga2O3钛酸镍/铁金属场效应晶体管的首次展示及提升记忆窗口
组合数学
2024-07-26 v1 数论
摘要
我们首次实验地展示了β-镁氧化物(β-Ga2O3)钛酸镍/铁金属场效应晶体管(Fe-FinFETs)的有效性。采用原子层沉积(ALD)方法沉积钛酸锆氧化物(HZO)作为钛酸镍层。HZO/beta-Ga2O3 Fe-FinFETs的传输特性中呈现更宽的逆时针滞回曲线，实现了单层HZO记录性最高的记忆窗口(MW)为13.9 V。归一化后实际通道宽度，FinFETs显示出改进的ION/IOFF比率为2.3×10^7，亚阈值倾斜值为110 mV/dec。这些增强特性归因于低界面态密度(Dit)，表明β-Ga2O3与HZO层之间界面性能良好。通过Sentaurus TCAD验证了FinFETs中整个钛酸镍层电场更大导致的极化强度提升。经过5×10^6次程序/擦除(PGM/ERS)循环后，MW维持在9.2 V，保持时间测量至3×10^4秒且性能轻微退化。因此，超宽带隙(UWBG)Fe-FinFET被证明是高密度非易失存储器器件的有力候选者之一。
引用
@article{arxiv.2407.18186,
title = {Unimodality of the Rank on Strongly Unimodal Sequences},
author = {Wenston J. T. Zang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.18186},
year = {2024}
}