通过(001)取向GaAs量子阱中δ掺杂位置调控结构反演不对称性
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
利用磁场诱导的光电效应，研究了掺杂(001)取向GaAs量子阱中的结构反演不对称性和体反演不对称性。我们证明，通过改变δ掺杂层的位置可以调控结构反演不对称性(SIA)。由于生长过程中的杂质偏析，对称掺杂的结构表现出显著的SIA。通过δ掺杂位置调控SIA，我们生长出了结构反演不对称性与体反演不对称性程度几乎相等的样品。
引用
@article{arxiv.0903.1232,
title = {Tuning of structure inversion asymmetry by the $\delta$-doping position in (001)-grown GaAs quantum wells},
author = {V. Lechner and L. E. Golub and P. Olbrich and S. Stachel and D. Schuh and W. Wegscheider and V. V. Bel'kov and S. D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.1232},
year = {2015}
}
备注
4 pages 2 figures