体反演不对称诱导的量子阱磁旋光反射
介观与纳米尺度物理
2019-01-10 v1
摘要
III-V 和 II-VI 半导体量子阱的体反演不对称（BIA）通过在结构平面内取向的磁场中的反射实验得到证实。在激子共振附近，以 和 偏振光的斜入射测量了反射系数中随磁场线性变化的贡献。我们证明反射的这一贡献由量子阱的磁旋光性引起，即由光学响应中同时线性依赖于磁场强度和光波矢的项引起。考虑到电子和空穴有效哈密顿量中随动量线性的 BIA 诱导项，发展了光反射中磁旋光效应的理论。理论估计与实验结果一致。我们发现基于 GaAs 和 CdTe 的量子阱中电子 BIA 分裂常数均约为重空穴的三分之一。
引用
@article{arxiv.1811.01214,
title = {Bulk inversion asymmetry induced magnetogyrotropic reflection from quantum wells},
author = {L. V. Kotova and V. N. Kats and A. V. Platonov and V. P. Kochereshko and R. André and L. E. Golub},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.01214},
year = {2019}
}
备注
5+ pages, 5 figures