磁场下HgTe/CdTe量子阱中相互作用诱导的边缘态
强关联电子
2019-07-03 v2
摘要
在本文中，我们使用带有体反演不对称（BIA）项的格点Bernevig-Hughes-Zhang（BHZ）模型，研究了垂直磁场下具有Hubbard型相互作用的掺杂HgTe/CdTe量子阱。我们表明，当拓扑绝缘体的能带反转被磁场破坏时，在该区域附近BIA项被相互作用强烈增强。增强的BIA项产生了类边缘的电子态，这可以解释在类似磁场区间掺杂HgTe/CdTe量子阱中实验发现的边缘电导。
引用
@article{arxiv.1806.04382,
title = {Interaction induced edge states in HgTe/CdTe Quantum Well under magnetic field},
author = {Zewei Chen and Tai Kai Ng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.04382},
year = {2019}
}
备注
8 pages and 7 figures