拓扑 Sachdev-Ye-Kitaev 模型
强关联电子
2018-05-30 v1 介观与纳米尺度物理
量子气体
摘要
在本快报中,我们构建了一个大 N 精确可解模型,通过将 Sachdev-Ye-Kitaev(SYK)模型与常值跳跃项相连,来研究相互作用与拓扑之间的相互作用。跳跃项形成能带结构,可展现拓扑平庸与非平庸相。从零霍尔电导的拓扑平庸绝缘体出发,我们表明相互作用可驱动相变至具有量子化非零霍尔电导的拓扑非平庸绝缘体,且当相互作用精细调节至临界点时,出现单一无隙狄拉克费米子。我们也考虑了有限温度效应,并表明具有较强相互作用的拓扑相在温度面前较不稳定。我们的模型提供了一个具体例子以阐明相互作用拓扑相与相变,并可为物理系统中的类似问题提供启示。
引用
@article{arxiv.1803.01411,
title = {Topological Sachdev-Ye-Kitaev Model},
author = {Pengfei Zhang and Hui Zhai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.01411},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 5 figures