SiC 上石墨烯薄膜的热力学平衡条件
材料科学
2014-11-21 v1
摘要
第一性原理表面相图揭示，3C-SiC(111) Si 侧的外延单层石墨烯薄膜可以在狭窄的实验可控条件范围内作为热力学稳定相存在，从而定义了通往最高质量石墨烯薄膜的路径。我们的计算基于范德华修正密度泛函。对于零层至三层石墨烯，完整的实验观测到的 -R30 超胞对于描述正确的界面几何结构、表面相的相对稳定性以及可能的缺陷至关重要。
引用
@article{arxiv.1304.7640,
title = {Thermodynamic equilibrium conditions of graphene films on SiC},
author = {Lydia Nemec and Volker Blum and Patrick Rinke and Matthias Scheffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.7640},
year = {2014}
}