具有扭曲边缘带的拓扑系统：位置依赖的霍尔电阻
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1
摘要
我们研究了一个ν=1的拓扑系统，其中包含一条扭曲边缘态带和一条正常边缘态带。对于扭曲边缘态带，费米能级三次穿过该带，因此在样品一侧有三个边缘态；而正常边缘带在样品另一侧仅贡献一个边缘态。我们证明，在这样的系统中，同时存在拓扑保护和非保护的边缘态，因此即使对于平移不变系统，其霍尔电阻也取决于霍尔测量的位置。这一独特性质在普通拓扑绝缘体中是不存在的。
引用
@article{arxiv.1204.2489,
title = {The topological system with a twisting edge band: position-dependent Hall resistance},
author = {Xuele Liu and Qing-feng Sun and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2489},
year = {2015}
}