受限 Ising 模型界面局域-退局域转变下损伤传播的研究

本文利用 Monte Carlo 模拟研究了在相反壁上作用有短程竞争磁场 ($h$) 的受限磁性 Ising 薄膜中的损伤传播。由于磁场的存在，薄膜在明确定义的临界温度 $T_w(h)$ 下发生润湿转变。实际上，竞争磁场导致了不同取向磁畴之间界面的出现。对于 $T < T_w(h)$ ($T > T_w(h)$)，该界面被束缚于（脱离）壁面，而恰在 $T_w(h)$ 时，界面基本位于薄膜中心。研究发现，界面的存在显著增强了损伤的时空扩展，界面充当了损伤的“催化剂”，导致总损伤面积增加。利用有限尺寸标度方法，通过外推至热力学极限评估了损伤传播的临界点。此外，与 Ising 模型特有的有序-无序转变的已知临界温度相比，润湿转变有效地移动了损伤传播临界点的位置。发现这些临界点位于非润湿相中。