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InAs/GaAs 量子柱生长过程中应变驱动的 In 迁移

材料科学 2013-09-10 v2 介观与纳米尺度物理

作者: D. Alonso-Álvarez , B. Alén , J. M. Ripalda , A. Rivera , A. G. Taboada , J. M. Llorens , Y. González , L. González , F. Briones

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摘要

利用力学-光学应力传感器技术，我们在量子柱生长过程中观察到当 InAs 沉积在 GaAs (001) 上时压应力出现反直觉的降低。通过对应变场的建模，我们发现这种异常行为可能与应变驱动的 In 原子从晶体中脱离及其向自组装纳米结构的表面扩散有关。

关键词

应变驱动迁移 InAs/GaAs 量子柱力学-光学应力传感器压应力降低表面扩散自组装纳米结构

引用

@article{arxiv.1108.1768,
  title  = {Strain driven migration of In during the growth of InAs/GaAs quantum posts},
  author = {D. Alonso-Álvarez and B. Alén and J. M. Ripalda and A. Rivera and A. G. Taboada and J. M. Llorens and Y. González and L. González and F. Briones},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1108.1768},
  year   = {2013}
}

备注

10 pages, 4 figures. Published in APL Materials