拉伸应变 In$_{1-x}$Ga$_{x}$P 纳米机械弦谐振器的应力调控
介观与纳米尺度物理
2018-11-16 v2
摘要
我们研究了由拉伸应力晶体 InGaP 制备的自由悬浮纳米弦的力学性质。其内禀应变源于薄膜与衬底间晶格失配的外延生长，并由 X 射线衍射测量所证实。纳米机械弦谐振器的弯曲本征频率显示出取向依赖的应力，最大值达 650 MPa。该角依赖性由各向异性杨氏模量及缺陷引起的弹性性质变化共同解释。随晶体取向观察到高达 50% 的应力变化。这使得对于任意给定 Ga 含量 均可精细调控拉伸应力，从而为高 Q 纳米机械系统的研究提供了有趣前景。
引用
@article{arxiv.1808.09773,
title = {Stress control of tensile-strained In$_{1-x}$Ga$_{x}$P nanomechanical string resonators},
author = {Maximilian Bückle and Valentin C. Hauber and Garrett D. Cole and Claus Gärtner and Ute Zeimer and Jörg Grenzer and Eva M. Weig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.09773},
year = {2018}
}