基于第一性原理分子动力学的单层 1T'-MoS2 在电子辐照下的行为
材料科学
2018-04-13 v1 无序系统与神经网络
介观与纳米尺度物理
摘要
高能粒子辐照近来已成为调控二维过渡金属硫族化物性质的有效手段。为实现对晶格的原子级精确操控，有必要详细理解原子尺度上束流诱导的事件。在此，我们通过第一性原理分子动力学手段研究 1T'-MoS2 对电子辐照的响应。我们的模拟表明，能量低于 75 keV 的电子束不会导致任何击出损伤。位移阈能对于 1T'-MoS2 中两个不等价硫原子有所不同，并强烈依赖于所考虑的是顶层还是底层硫族层。因此，仔细调节束流能量可促进样品中有序缺陷的形成。我们进一步讨论了缺陷位点附近电子辐照的效应、所产生硫空位的迁移率及其聚集倾向。总体而言，我们的工作为利用电子显微镜对 1T'-MoS2 进行成像与缺陷工程提供了有用指导。
引用
@article{arxiv.1804.04599,
title = {Single-layer $1T'$-MoS$_2$ under electron irradiation from $ab$ $initio$ molecular dynamics},
author = {Michele Pizzochero and Oleg V. Yazyev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.04599},
year = {2018}
}
备注
8 pages, 5 figures