离子辐照单层二维材料中的缺陷尺寸、分离与基底效应
材料科学
2018-10-24 v3
摘要
当代材料科学极其渴望对二维纳米材料进行精确且可扩展的缺陷工程。本文展示了在 30 keV 下用稀有气体离子辐照单层石墨烯和二硫化钼（MoS）进行的缺陷工程。在气体场离子源显微镜中使用了两种不同质量的离子种类：氦（He）和氖（Ne）。利用拉曼光谱，对随着离子剂量增加而引入的缺陷尺寸和由此产生的缺陷间距离进行了详细研究。在现有模型的基础上，我们发现支撑态石墨烯的平均缺陷尺寸比悬浮态石墨烯小得多，且缺陷产生率更高。我们得出结论，来自基底的次级原子在缺陷产生中起着重要作用，相对于由初级离子束产生的缺陷，它们产生了更小的缺陷。此外，还将类似的模型应用于支撑态 MoS，这是二维材料家族中另一个极具前景的成员。获得了两种离子对 MoS 的缺陷产率，展示了它们与材料的不同相互作用，并促进了与文献中其他辐射条件的比较。
引用
@article{arxiv.1707.08893,
title = {Defect Sizing, Separation and Substrate Effects in Ion-Irradiated Monolayer 2D Materials},
author = {Pierce Maguire and Daniel S. Fox and Yangbo Zhou and Qianjin Wang and Maria O'Brien and Jakub Jadwiszczak and Conor P. Cullen and John McManus and Niall McEvoy and Georg S. Duesberg and Hongzhou Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.08893},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 6 figures