过渡金属硫族化物光发射中的层间与轨道干涉效应
材料科学
2019-12-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本工作中，我们提供了一个有效模型来评估支配单层（SL）和双层（BL）过渡金属硫族化物光学激发与光发射过程的一电子偶极矩阵元。利用 哈密顿量，我们计算了在 MoS 的 谷附近价带角分辨光发射中观测到的光发射强度。在 SL MoS 中，我们发现第一布里渊区外的强度存在显著遮蔽，其源于从 Mo 轨道发射的光电子之间的面内干涉效应。在 BL MoS 中，额外的层间干涉效应导致强度随光子能量出现独特调制。最后，我们利用半导体 Bloch 方程对时间分辨和角分辨泵浦-探测光发射实验中的光学激发进行建模。我们发现，导带中光学激发布居的动量依赖性导致 SL 和 BL MoS 中均可观测的二色性。
引用
@article{arxiv.1910.01882,
title = {Layer and orbital interference effects in photoemission from transition metal dichalcogenides},
author = {Habib Rostami and Klara Volckaert and Nicola Lanata and Sanjoy K. Mahatha and Charlotte E. Sanders and Marco Bianchi and Daniel Lizzit and Luca Bignardi and Silvano Lizzit and Jill A. Miwa and Alexander V. Balatsky and Philip Hofmann and Søren Ulstrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.01882},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 6 figures