单层过渡金属二硫属化物在椭圆偏振下的谷布居差异
材料科学
2017-03-28 v2
摘要
用椭圆偏振光束照射单层过渡金属二硫属化物，会在谷边缘（即 和 ）附近的价带与导带态之间产生带间载流子激发的速率差。该速率线性依赖于光束椭圆率与光学带隙的倒数，表现为谷之间的非对称费米分布或非平衡布居；在外部场和贝里曲率诱导的异常速度作用下，产生外场可调的有限谷霍尔电流。通过自洽玻恩近似考虑了影响激发速率的表面缺陷。此外，我们表明谷边缘附近的圆二色性也表现出对椭圆率的依赖。
引用
@article{arxiv.1703.06593,
title = {Imparity in valley population for single layer transition metal dichalcogenides under elliptical polarization},
author = {Parijat Sengupta and Yaohua Tan and Dmitris Pavlidis and Junxia Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.06593},
year = {2017}
}
备注
4 pages, 4 figures