Laterally-coupled量子点电路中few-electron regime下的单电子充电与探测
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们对GaN/AlGaAs后向耦合量子点电路（LCQD）中前几电子的充电与探测进行物理分析。该电路集成了量子点接触（QPC）读出器。我们的分析基于纳入三维自洽方案的数值求解Kohn-Sham方程，以模拟量子器件。获得作为外部栅极电压函数的电子态与本征能谱，这些本征能谱反映了特定LCQD约束形状。我们还推导了该器件前几电子的稳定图，并与实验数据获得良好一致。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311044,
title = {Single-electron charging and detection in a laterally-coupled quantum dot circuit in the few-electron regime},
author = {L. -X. Zhang and P. Matagne and J. P. Leburton and R. Hanson and L. P. Kouwenhoven},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311044},
year = {2009}
}
备注
8 figures, submitted to Physical Review B