GFET上无裂纹溶胶-凝胶氧化铝沉积的种子层工程
应用物理
2022-10-12 v1 材料科学
摘要
本文探索了基于低成本和低热预算的旋涂溶胶-凝胶氧化铝作为GFET的介电/钝化层。热退火后，在正好位于石墨烯通道上方的溶胶-凝胶氧化铝层中观察到裂纹。裂纹的可能机制是石墨烯的横向恢复运动，其起因在于（i）石墨烯与相邻层之间的热膨胀系数（TEC）差异，以及（ii）溶剂去除过程中产生的收缩应力。基于裂纹形成现象，本文实施了不同退火方案（低热预算DUV退火）与种子层工程（厚度和不同沉积方案）的组合。最后，提出并验证了一种结合DUV退火的全新两步种子层沉积方法，该方法成功解决了裂纹问题，并且能够在电学特性中保留狄拉克点。
引用
@article{arxiv.2210.05442,
title = {Seed Layer Engineering for Crack-free Sol-gel Alumina Deposition on GFETs},
author = {Nama Premsai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.05442},
year = {2022}
}