利用原子层沉积降低异质量子器件中的应变
介观与纳米尺度物理
2021-08-13 v1 量子物理
摘要
我们研究了使用原子层沉积（ALD）制备的介电层作为在低温下工作的复合硅/超导体器件中缓解应变的方法。我们表明，添加 ALD 层可减小最靠近硅/超导体界面的自旋的应变，该处应变最高。我们表明，通过在硅中铋施主的超精细时钟跃迁处适当偏置我们的器件，可以消除应变展宽，并且在这些天然硅器件中添加 ALD 层使 （或时间不均匀性）保持不变。
引用
@article{arxiv.2108.05640,
title = {Reducing strain in heterogeneous quantum devices using atomic layer deposition},
author = {Oscar W. Kennedy and James O'Sullivan and Christoph W. Zollitsch and Chistopher N. Thomas and Stafford Withington and John J. L. Morton},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.05640},
year = {2021}
}