基于溶胶-凝胶氧化铝钝化层的 GFET 工艺良率与器件稳定性提升
应用物理
2022-10-14 v1
摘要
GFET 器件的稳定性是一个主要问题，需要良好的钝化层来解决。本文研究了低成本、低温的基于溶胶-凝胶氧化铝钝化层的 GFET，目标是提升器件稳定性并实现高工艺良率。针对 0.1 M 和 0.05 M 两种不同摩尔浓度探究了工艺良率与器件稳定性。提取了迁移率、陷阱电荷密度、最小电导平台宽度和最小电导等参数以比较器件稳定性。结果表明，0.1 M 的 GFET 因退火后沟道区域出现裂纹而存在工艺良率问题，仅有接近一半的器件可工作，且工作器件不稳定，在一周内即快速退化。另一方面，0.05 M 溶胶-凝胶氧化铝基样品实现了 100% 工艺良率，所有器件均正常工作，并观察到超过两个月的稳定行为。因此我们提出了一种优化的溶胶-凝胶氧化铝基钝化层工艺方案，以实现 GFET 最佳的工艺良率与器件稳定性。
引用
@article{arxiv.2210.06975,
title = {Process Yield and Device Stability Improvement for Sol-gel Alumina Passivation layer based GFETs},
author = {Nama Premsai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.06975},
year = {2022}
}