抑制嘈杂的二维电子气场效应管晶圆
介观与纳米尺度物理
2009-07-17 v2
摘要
电报噪声是使用横向静电装置进行灵敏测量时出现的最显著问题之一。在本文中，我们证明，如果在栅极和GaAs/AlGaAs异质结构之间放置一层薄绝缘层，那么一块原本只能产生具有显著电报噪声问题的器件的晶圆可以制造出“安静”的器件。所得器件中的缓慢漂移归因于所使用的特定绝缘体内部的电荷俘获。这种电荷可以被操控，从而为稳定器件提供了策略。
引用
@article{arxiv.0907.2903,
title = {Silencing noisy 2DEG wafers},
author = {L. Gaudreau and A. Kam and P. Zawadzki and G. Granger and S. Studenikin and J. Kycia and J. Mason and A. S. Sachrajda},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.2903},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 5 figures Submitted to EP2DS 2009 Conf. Proceedings