SiC 单晶中缺陷诱导铁磁性的兴衰
材料科学
2011-06-07 v1
摘要
研究了含有 VSi-VC 双空位的 6H-SiC（碳化硅）单晶的磁性和结构特性。我们发现，结构无序的初始增加导致室温下显著的铁磁性质。进一步引入无序会降低饱和磁化强度，并伴随晶格非晶化的开始。在接近完全非晶化的阈值时，双空位团簇也会形成，饱和磁化强度几乎降至零。
引用
@article{arxiv.1106.0966,
title = {Rise and fall of defect induced ferromagnetism in SiC single crystals},
author = {Lin Li and S. Prucnal and S. D. Yao and K. Potzger and W. Anwand and A. Wagner and Shengqiang Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.0966},
year = {2011}
}
备注
12 pages, 1 figure