解耦 SiC 中缺陷诱导的铁磁性
材料科学
2014-01-23 v1
摘要
我们对氖离子轰击的 SiC 单晶的磁性质进行了详细研究。通过仔细测量原始和辐照 SiC 的磁化强度，我们将 SiC 的磁化强度分解为顺磁、超顺磁和铁磁贡献。铁磁贡献在远高于室温的条件下持续存在，并表现出显著的磁各向异性。我们定性地将磁性质解释为缺陷内禀聚集倾向的结果。
引用
@article{arxiv.1401.5576,
title = {Disentangling defect-induced ferromagnetism in SiC},
author = {Yutian Wang and Lin Li and Slawomir Prucnal and Xuliang Chen and Wei Tong and Zhaorong Yang and Frans Munnik and Kay Potzger and Wolfgang Skorupa and Sibylle Gemming and Manfred Helm and Shengqiang Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.5576},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 8 figures