Si掺杂CeFe2中温度和磁场诱导的结构转变：原位X射线衍射研究
强关联电子
2010-05-21 v1
摘要
利用在不同温度和外加磁场下的X射线粉末衍射技术，我们研究了Ce(Fe0.95Si0.05)2的磁结构性质。X射线衍射数据建立了宏观磁化强度与结构上不同相随磁场和温度的演化之间的定量关系，并证实了一级相变的独特特征，如过冷和过热、亚稳性以及不同结构多晶型物的相共存。我们观察到跨越结构相变的晶格体积失配，这似乎是低温下磁化等温线阶梯行为的原因。本研究表明，要解释该体系的磁化行为，必须像处理自旋一样明确处理晶格畸变，并考虑晶格-自旋耦合效应。这种结构模板可以解决在不同时间尺度测量和不同实验方案中观察到的该材料的动力学问题。
引用
@article{arxiv.1005.3662,
title = {Temperature and magnetic field induced structural transformation in Si doped CeFe2: in-field x-ray diffraction study},
author = {Arabinda Haldar and Niraj K. Singh and Ya. Mudryk and K. G. Suresh and A. K. Nigam and V. K. Pecharsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.3662},
year = {2010}
}
备注
13pages,5 figures