碳化硅中的碳p电子铁磁性
材料科学
2015-03-12 v1
摘要
当引入特定缺陷时，宽禁带半导体以及碳基材料中均可发生铁磁性。因此，建立缺陷与所得铁磁性之间的直接关系是可取的。本文中，我们以SiC为原型示例，致力于揭示缺陷诱导铁磁性的起源。我们表明长程铁磁耦合可归因于VSiVC双空位周围最近邻碳原子的p电子。从而，该铁磁性被追溯到其微观的、电子的起源。
引用
@article{arxiv.1503.00487,
title = {Carbon p Electron Ferromagnetism in Silicon Carbide},
author = {Y. Wang and Y. Liu and G. Wang and W. Anwand and C. Jenkins and E. Arenholz and F. Munnik and O. Gordan and G. Salvan and D. R. T. Zahn and X. Chen and S. Gemming and M. Helm and S. Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.00487},
year = {2015}
}
备注
27 pages, 9 figures, Scientific Reports, in press (2015)