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离子体在纳米通道中的输运:滑移的作用

偏微分方程分析 2025-04-10 v1

摘要

我们表征了在截面变化的纳米通道中由于滑移边界层导致的电动力学流动。通道壁设有非均匀滑移长度。我们指出,在线性响应和 Debye-Huckel 规律下,通道壁处于疏水性涂层(位于纳米通道最窄处)时,输运系数及其流量可显著提升。我们的模型表明,考虑导电壁时提升幅度大于介电微通道壁,而这种提升由几何引起的熵效应与滑移边界层的协同作用产生。我们的结果表明,针对性的疏水性涂层设计可有效提升在 lab-on-chip、生物物理学以及蓝能量收集与能源转换技术等广泛领域的传输性能。

关键词

引用

@article{arxiv.2504.06707,
  title  = {Phase transition of the kinetic Justh-Krishnaprasad type model for nematic alignment},
  author = {Seung-Yeal Ha and Hui Yu and Baige Zhou},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2504.06707},
  year   = {2025}
}