磁控共溅射沉积的MgyNi1-y(Hx)薄膜
材料科学
2012-03-01 v1
摘要
在本工作中，我们合成了y在0到1之间的MgyNi1-y(Hx)金属和金属氢化物薄膜。薄膜通过磁控共溅射Mg和Ni金属靶材沉积。金属MgyNi1-y薄膜使用纯Ar等离子体沉积，而MgyNi1-yHx氢化物薄膜则使用含30% H2的Ar等离子体反应沉积。沉积在固定衬底载体上进行，产生Mg和Ni成分具有空间梯度的薄膜。共溅射的组合方法提供了对MgyNi1-y和MgyNi1-yHx相图的深入了解，并使我们能够研究所得合金的结构、光学和电学性质。我们的结果表明，反应溅射可以直接沉积金属氢化物薄膜，在Mg~2NiH~4的情况下具有高纯度。我们观察到在暴露于环境条件下数月后氧化有限。MgyNi1-y和MgyNi1-yHx薄膜可能应用于智能窗的光学控制、光学传感器以及作为光伏太阳能电池的半导体材料。
引用
@article{arxiv.1202.6484,
title = {MgyNi1-y(Hx) thin films deposited by magnetron co-sputtering},
author = {Trygve Mongstad and Chang C. You and Annett Thøgersen and Jan Petter Mæhlen and Charlotte Platzer-Björkman and Bjørn C. Hauback and Smagul Zh. Karazhanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.6484},
year = {2012}
}