GaN MESFET中陷阱光致电离的光效应
材料科学
2010-11-03 v1
摘要
利用系综蒙特卡罗模拟，对纤锌矿相GaN MESFET缓冲层中陷阱中心对热电子行为的俘获进行了模拟。模拟结果表明，陷阱中心是低温下GaN MESFET中电流崩塌的原因。这些电陷阱在低温下降低了器件的性能。相反，光致陷阱限制漏极电流的增加，是由于俘获载流子的光致电离及其在俘获电荷分布相关的内建电场作用下返回沟道所致。模拟的器件几何结构和掺杂尽可能与实验结构描述的标称参数匹配，包含陷阱中心效应的模拟器件的预测漏极电流和其他电特性与现有实验数据吻合良好。
引用
@article{arxiv.0912.4630,
title = {Light effect in photoionization of traps in GaN MESFETs},
author = {H. Arabshahi and A. Binesh},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4630},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 2 figures