锗条带探测器中电荷俘获的数值模拟
仪器与探测器
2023-10-03 v1 核实验
摘要
锗探测器中的电荷俘获将不可避免地影响其优异的能谱性能。锗晶体结构中的无序区域，无论是在加工过程中材料内产生的，还是由辐射照射诱发的，都会影响电荷收集效率（CCE），使能谱分辨率退化。本文给出关于交叉条带锗探测器阳极与阴极信号上电荷俘获效应的数值模拟。我们讨论俘获模型背后的假设，该模型同时考虑电荷载流子的漂移长度与热运动。我们给出作为探测器内相互作用深度函数的模拟 CCE 曲线，并发展一种将这些模拟与实测数据基准比对的技术。给出了与实测 CCE 曲线的比较。我们发展这些数值模型，旨在表征并最终校正辐射损伤对锗交叉条带探测器能谱分辨率的影响。
引用
@article{arxiv.2310.01312,
title = {Numerical Simulations of Charge Trapping in Germanium Strip Detectors},
author = {Steven E. Boggs and Sean N. Pike},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.01312},
year = {2023}
}
备注
Accepted for Publication in Nuclear Instrument and Methods A