薄膜锂硼酸盐中的晶格 XBAR 滤波器
信号处理
2026-02-17 v1
摘要
本 work 展示了基于后侧激励批量声共振器 (XBAR) 的晶格滤波器的实现。两种滤波器实现，称为直接晶格和布局平衡晶格拓扑，分别设计并制造于周期脉压电陶瓷薄膜 (P3F) 锂硼酸盐薄膜 (TFLN)。通过利用 XBAR 在 P3F TFLN 中的强电机械耦合，以及晶格拓扑固有的宽频特性，实现了约 20 GHz 处的 3-dB 分数带宽 (FBWs) 为 27.42% 和 39.11%，插入损耗 (ILs) 为 0.88 dB 和 0.96 dB（在共轭匹配条件下）。值得注意的是，所有原型器件的占据面积均小于 1.3 mm²。这些结果突显了 XBAR 基晶格架构在下一代无线通信和探测系统中实现低损耗、宽带声学滤波器的潜力，同时也确定了进一步优化的关键挑战和方向。
引用
@article{arxiv.2602.14937,
title = {Lattice XBAR Filters in Thin-Film Lithium Niobate},
author = {Taran Anusorn and Byeongjin Kim and Ian Anderson and Ziqian Yao and Ruochen Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.14937},
year = {2026}
}