单层 WS$_2$ 与氧化物及氮化硼衬底界面处的微观电子衬度成像
材料科学
2020-06-01 v1
摘要
基于二维材料的器件电子性质显著受其与衬底和电极材料相互作用的影响。在此，我们使用光电子发射电子显微镜研究电接触的单层 WS 堆叠在 hBN、SiO 和 TiO 衬底上的实空间和动量空间电子结构。利用功函数与 X 射线吸收成像，我们单独挑出每种界面类型的洁净微观区域并采集价带色散。我们根据 WS 与三种衬底材料的实测价带偏移，使用简单的电子亲和能规则推断其带隙与电子亲和能的对齐方式，并讨论使用混合三维与二维材料进行垂直能带结构工程的意义。
引用
@article{arxiv.1903.10400,
title = {Imaging microscopic electronic contrasts at the interface of single-layer WS$_2$ with oxide and boron nitride substrates},
author = {Søren Ulstrup and Roland J. Koch and Daniel Schwarz and Kathleen M. McCreary and Berend T. Jonker and Simranjeet Singh and Aaron Bostwick and Eli Rotenberg and Chris Jozwiak and Jyoti Katoch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.10400},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 5 figures, 1 table