分形子模型与叶状场中的带隙界面
强关联电子
2023-08-10 v1 高能物理 - 理论
摘要
本工作利用叶状规范理论与格点模型研究了3+1维分形子物质的带隙界面。我们分析了X-cube模型中的带隙边界与带隙界面，以及X-cube模型与环面码之间的带隙界面。这些带隙界面或为“未修饰”或为“修饰”，其中“修饰”界面具有针对叶状规范场的附加陈-西蒙斯类作用量。我们发现了许多新的带隙边界与界面，例如(1) X-cube模型的一种带隙边界，其中垂直于界面的电线性子变为磁线性子，后者是磁平面子的复合；(2) 通过对平面子系统性一形式对称性进行规范化，X-cube模型与环面码模型之间的Kramers-Wannier对偶型带隙界面；以及(3) X-cube模型中交换电、磁线性子的电磁对偶界面。
引用
@article{arxiv.2308.04489,
title = {Gapped Interfaces in Fracton Models and Foliated Fields},
author = {Po-Shen Hsin and Zhu-Xi Luo and Ananth Malladi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.04489},
year = {2023}
}
备注
36 pages, 10 figures