界面物理学：夹在两个金属平面之间的化学调制强关联势垒
强关联电子
2011-04-20 v4
摘要
使用无限制Hartree Fock方法研究了由离子Hubbard模型描述并夹在两侧金属平面之间的势垒平面。对于零位点关联，如果势垒平面中的化学调制势超过临界值，金属界面的存在会在远离半填充的能谱中产生一个额外的能隙。当我们针对固定位势调节位点关联时，会出现重入行为以及绝缘体-金属-绝缘体转变。因此，在一个原本整体为绝缘体的系统中，金属能够通过邻近效应穿透势垒平面。
引用
@article{arxiv.1009.5294,
title = {Physics of interface: Strongly correlated barrier with chemical modulation sandwiched between two metallic planes},
author = {Tribikram Gupta and Sanjay Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.5294},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 18 figures,some figures deleted to shorten the paper, dc sigma plots replaced by optical conductivity plots, results unchanged