非厄米电路中增益与损耗诱导的拓扑绝缘相
介观与纳米尺度物理
2022-03-08 v1 材料科学
摘要
人们已投入大量努力研究某些在非厄米系统中于存在增益和损耗时具有实本征频率的拓扑相。然而，由于在量子或光子系统中引入受控增益和损耗的困难，实验上实现此类非厄米拓扑绝缘体具有挑战性。另一方面，有源电路元件的广泛选择为在电路中构造非厄米拓扑绝缘体提供了前所未有的便利与灵活性。在此，我们报道了一维(1D)非厄米拓扑电路的实验实现，其展现出纯粹由增益和损耗诱导的拓扑保护边缘态。我们表明，通过调节电路中正/负电阻的值，我们的系统可在不同拓扑相区域间切换。拓扑边缘态和界面态分别在电路边缘以及平庸与非平庸电路间的界面处被观测到，表现为中隙频率处显著的阻抗峰，该峰值对电路参数变化具有拓扑鲁棒性。我们的工作为主动可控拓扑系统开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2203.03453,
title = {Gain and loss induced topological insulating phase in a non Hermitian electrical circuit},
author = {Shuo Liu and Shaojie Ma and Cheng Yang and Lei Zhang and Wenlong Gao and Yuan Jiang Xiang and Tie Jun Cui and Shuang Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.03453},
year = {2022}
}