非厄米电路中的拓扑缺陷工程与PT对称性
应用物理
2021-06-02 v1 其他凝聚态物理
光学
摘要
我们利用电路网络研究由宇称-时间对称性 和手性反- 对称性 () 所丰富的非厄米系统中的拓扑物质态。拓扑结构体现在复导纳带中，具有极佳的可测量性与信噪比。我们分析了 对称增益与损耗对非厄米 Su--Schrieffer--Heeger (SSH) 电路中局域边缘态与缺陷态的影响。我们实现了该系统的全部三种对称相，包括在大增益与损耗下出现的 对称 regime。我们测量了任意边界条件下的导纳谱与本征态，这不仅使我们能分辨拓扑边缘态，还能分辨体中的一种新颖 对称 不变量。我们在相图中发现了拓扑边缘态与缺陷态的迥异性质。在非 对称 regime 中，拓扑缺陷态消失，并仅在达到 对称时才重新浮现，而拓扑边缘态始终存在且仅经历本征值的偏移。我们的发现为非厄米任意维系统中的拓扑缺陷工程与调控揭示了未来路径。
引用
@article{arxiv.2011.14836,
title = {Topological defect engineering and PT-symmetry in non-Hermitian electrical circuits},
author = {Alexander Stegmaier and Stefan Imhof and Tobias Helbig and Tobias Hofmann and Ching Hua Lee and Mark Kremer and Alexander Fritzsche and Thorsten Feichtner and Sebastian Klembt and Sven Höfling and Igor Boettcher and Ion Cosma Fulga and Oliver G. Schmidt and Martin Greiter and Tobias Kiessling and Alexander Szameit and Ronny Thomale},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.14836},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 3 figures, 6 pages supplement (separate file)