具项目征对称性的非厄米拓扑电路
介观与纳米尺度物理
2025-06-18 v1 应用物理
摘要
非厄米拓扑绝缘体因其独特的能带特性和前景应用而引起广泛关注。本文系统地研究了从投影对称性出发的非厄米莫比乌斯绝缘体和类石墨烯拓扑半金属，并在电路实现框架中实现其对应的拓扑现象。通过在二维电路中引入由负阻抗转换器构成的非互易跳跃项，我们建立了一种实验平台，有效地表明引入非厄米项显著增强了拓扑边态的能局域化，而这种局域化源于非厄米皮肤效应。此外，对实验测量结果与数值模拟进行彻底比较，验证了电路结构的稳健性和可靠性。这一工作不仅揭示了非厄米拓扑材料的物理性质，也为未来拓扑电路的实现以及无线电频率器件的设计提供了宝贵的理论和实验指导。
引用
@article{arxiv.2506.14225,
title = {Non-Hermitian topological electric circuits with projective symmetry},
author = {Wenjie Zhang and Yuting Yang and Xiaopeng Shen and Liwei Shi and Zhi Hong Hang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.14225},
year = {2025}
}
备注
12 pages,7 figures