拓扑电路中的非厄米拓扑相与异常线
介观与纳米尺度物理
2021-02-09 v1 材料科学
摘要
我们提出一种在由电阻、电感和电容组成的拓扑电学(TE)电路网络中实现各种非厄米拓扑相的方案。这些相由拓扑保护的异常点和异常线表征。电路中的正负电阻耦合Rg提供损耗和增益因子,破坏了电路拉普拉斯算符的厄米性。通过控制Rg,电路的异常线可被调制,例如在布里渊区中从开放曲线变为闭合椭圆。实际上,异常线的拓扑可通过电路的阻抗谱来探测。我们还考虑了具有开放边界条件的有限TE系统,其导纳谱表现出高度可调的零导纳态,由边界点(BPs)划分。系统的相图显示出以其BP数量为特征的拓扑相。不同相之间的转变可通过改变电路参数来控制,并通过终端节点间的阻抗读取来追踪。我们的TE模型提供了一种在非厄米框架中实现不同拓扑相并基于其边界点和异常线构型进行表征的便捷且可调的手段。
引用
@article{arxiv.2102.03727,
title = {Non-Hermitian topological phases and exceptional lines in topolectrical circuits},
author = {S M Rafi-Ul-Islam and Zhuo Bin Siu and Mansoor B. A. Jalil},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.03727},
year = {2021}
}