非厄米调谐的拓扑带隙
介观与纳米尺度物理
2020-08-17 v1 应用物理
光学
摘要
材料对外可控的带隙特性对于按需设计具有理想特性的光电子器件至关重要。本文研究了在一个原本平庸的绝缘体中引入线性增益，从而通过单参数调谐实现从平庸到非平庸拓扑带隙的可能性。增益被选择性地注入到二聚体的一维晶格中，使得所得非厄米哈密顿量在空间反演下对称但在时间反演下不对称。晶格的反演对称性使得能够通过体哈密顿量相关的双正交 Zak 相来探测体-边界对应与拓扑不变性。解析表明，当增益参数调谐跨越非厄米简并点时，会发生拓扑平庸到非平庸的相变并出现受保护的边缘态。讨论了通过改变增益分布来调谐边缘态位置（在边界处及体内部）的可能性。在 InGaAsP 半导体腔阵列的实际设计中报道了增益控制的拓扑边缘态的证实。
引用
@article{arxiv.2007.11325,
title = {Non-Hermitian tuned topological band gap},
author = {Bikashkali Midya},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.11325},
year = {2020}
}