声子晶体中通向高阶拓扑的非厄米路径
介观与纳米尺度物理
2021-03-31 v1 应用物理
摘要
物质的拓扑相基于其厄米哈密顿量进行分类，其实值色散与正交本征态共同构成非平凡拓扑。在最近发现的高阶拓扑绝缘体（TIs）中，体拓扑甚至可呈现层级特征，导致拓扑角态的出现，正如在许多光子和声学人工材料中所展示的那样。自然地，由于这些人工材料的内在损耗具有非厄米性质，其在拓扑定义中被忽略；在实践中，损耗的存在通常被认为对拓扑角态有害。在此，我们报道了在声子晶体中高阶拓扑绝缘体的实验实现，其非平凡拓扑由刻意引入的损耗所诱导。通过局域声学测量，我们识别出一个拓扑体带隙，其中填充有带隙边态和带隙内角态，作为层级高阶拓扑的标志性特征。我们的工作确立了通向高阶拓扑的非厄米路径，并为探索各种奇异的非厄米诱导拓扑相铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2007.01041,
title = {Non-Hermitian route to higher-order topology in an acoustic crystal},
author = {He Gao and Haoran Xue and Zhongming Gu and Tuo Liu and Jie Zhu and Baile Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.01041},
year = {2021}
}