二维环面码中的低纠缠激发融合

在D维体态能隙之上，d（<D）维子流形上的低纠缠激发（LEE）可以具有广延能量，但保持基态的纠缠面积律。由于其多维特性，LEE体现了量子系统中的高阶范畴结构。它们是修正哈密顿量的基态，因此捕捉了广义对称性“缺陷”的概念。在之前的工作中，我们研究了平凡相以及可逆相中的低纠缠激发。我们发现这些相中的LEE具有与低维有能隙相及其内部缺陷相同的结构。在本文中，我们研究了不可逆拓扑相内部的LEE。我们以Z2环面码的简单例子为例，讨论了具有0维态射的一维LEE的融合结果如何依赖于融合电路的选择以及被融合缺陷的顺序。