掺杂 Mott 绝缘体中高能标的精确积分

我们扩展了早期的工作 (cond-mat/0612130, Phys. Rev. Lett. {\bf 99}, 46404 (2007))，在该工作中，我们通过显式积分（而非投影）掉远离化学势的自由度，构建了掺杂 Mott 绝缘体的精确低能理论。该精确低能理论包含无法从投影方案中获得的自由度。特别是，在低能处出现了一个新的电荷 $\pm 2e$ 玻色场，它并非由基本激发构成。该场解释了跨越 Mott 隙的动态谱权重转移。在半满填充时，我们展示了会出现两个此类激发，它们在保持单粒子 Green 函数为零的 Luttinger 面方面起着关键作用。此外，与玻色场的相互作用克服了 Heisenberg 模型中存在的人工局域 SU(2) 对称性。我们还将此方法应用于 Anderson-U 杂质，表明除了 Kondo 相互作用外，还会出现玻色自由度。最后，我们表明，由于玻色自由度的存在，低能电子处于两种激发的线性叠加态中——一种源于投影到低能区的标准过程，另一种源于空穴与玻色子的束缚。