两个相反掺杂Mott绝缘体双层膜的电子态
强关联电子
2009-11-11 v2
摘要
我们研究了两个相反掺杂的低维tJ模型系统之间的库仑相互作用效应。我们精确地证明，在一维情况下，任意弱的相互作用都会导致电荷中性的电子-空穴对的形成。然后，我们使用两种不同的平均场理论来处理二维情况，其中层间激子也会形成并凝聚。我们提出这导致了单层中无类似物的新特征，例如绝缘自旋液相的出现。我们简单的双层模型可能与掺杂Mott绝缘体界面以及新型四层Ba2CaCu4O8化合物的物理相关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605284,
title = {The Electronic States of Two Oppositely doped Mott Insulators Bilayers},
author = {Tiago C. Ribeiro and Alexander Seidel and Jung Hoon Han and Dung-Hai Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605284},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 1 figure