掺杂 Mott 绝缘体中强耦合扰动理论的破坏
强关联电子
2016-08-31 v3 高能物理 - 理论
摘要
我们指出，诸如铜氧化物超导体之类的掺杂 Mott 绝缘体在渐近意义上是从属的，即准粒子权重 Z 近半填充处取决于由上 Hubbard 带设置的高能量尺度的存在。具体而言，在半填充附近，出现以下二元对:当高能量尺度被积分化时 Z ≠ 0，但在热力学极限下保留该尺度时 Z = 0。对高能量尺度的从属性源于跨越 Mott 隧穿激发之间量子干涉。我们认为 cuprates 正常态中看到的广义谱特征可源于对高能量尺度的从属效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312615,
title = {Breakdown of Strong-Coupling Perturbation Theory in Doped Mott Insulators},
author = {Philip Phillips and Dimitrios Galanakis and Tudor D. Stanescu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312615},
year = {2016}
}
备注
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