具有一维莫尔图案的单层硒化铜的电子性质
材料科学
2022-11-08 v1
摘要
应变工程是调控二维（2D）材料电子性质的重要途径。作为过渡金属单硫族化物（TMMs）的典型代表，蜂窝状 CuSe 单层由于沿 Cu(111) 衬底三个等价取向之一施加的单轴应变而具有一维（1D）莫尔图案。本文结合低温扫描隧道显微镜/谱（STM/S）实验与密度泛函理论（DFT）计算，系统研究了 Cu(111) 衬底上应变 CuSe 单层的电子性质。我们的结果表明 CuSe 单层具有 1.28 eV 带隙的半导体特征，以及一维莫尔图案对电子性质的一维周期性调制。除单轴应变 CuSe 单层外，我们还在 CuSe 单层观察到畴界与线缺陷，可分别研究双轴应变与无应变条件。对三种不同应变区域的 STS 测量显示导带第一峰随应变增大而下移。基于三种不同应变 CuSe 原子模型的 DFT 计算复现了该峰移动。本发现不仅丰富了对二维极限下应变影响电子性质的基本认识，也为二维半导体材料的发展提供了基准。
引用
@article{arxiv.2211.02916,
title = {Electronic properties of monolayer copper selenide with one-dimensional moir\'e patterns},
author = {Gefei Niu and Jianchen Lu and Jianqun Geng and Shicheng Li and Hui Zhang and Wei Xiong and Zilin Ruan and Yong Zhang and Boyu Fu and Lei Gao and Jinming Cai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.02916},
year = {2022}
}
备注
14 pages, 12 figures, 25 reference