D<<L 时 Ising 薄片 $D\times L$ 的有效临界指数

采用蒙特卡洛方法模拟具有周期边界条件的 $D\times L$ ($D\ll L$) 型 Ising 薄片的相变。结果显示，当 $D\leq D^*\simeq 6$ 时 $T_c(D)=0$，当 $D>D^*$ 时 $0<T_c(D)<T_c(d=2)$。仅对 $D>D^*$ 可获得 $ML^{\beta /\nu}$ 相对于 $|T-T_c|L^{1/\nu}$ 的常规标度。蒙特卡洛有效磁化临界指数 $\gamma_{eff} (D)$ 被证实可由 $\gamma (d)=\beta (d)[\delta (d)-1]$ 描述，其中 $d_{eff}(D)\simeq 1.5+({1/200})(D-6)$，且 \beta (d)=(\frac{3d%}{16}-{1/4})，$\delta ^{-1}(d)=(\frac{2d}{15}-{1/5})$，可视为有效 $d_{eff}(D)$ 所对应的形式。