具有对称性的有能隙拓扑相中的边缘--纠缠对应
强关联电子
2017-05-17 v1
摘要
对于手性拓扑相，边缘理论与纠缠谱之间的对应关系已牢固确立。我们研究具有守恒 电荷的有能隙、拓扑有序的非手性态，并表明纠缠哈密顿量不仅包含此类相可能容许的拓扑不同边缘的信息，还包含在这些边缘中哪些将在对称性破缺/守恒扰动存在时实现的信息。我们引入一个精确可解的、电荷守恒的 自旋液体晶格模型，并推导其边缘理论及纠缠哈密顿量，包括在扰动存在时的情况。我们构建边缘的场论并研究其重整化群流。我们展示了纠缠哈密顿量所含信息与边缘理论之间对应关系的精确范围。
引用
@article{arxiv.1612.02831,
title = {Edge--Entanglement correspondence for gapped topological phases with symmetry},
author = {Maciej Koch-Janusz and Kusum Dhochak and Erez Berg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.02831},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 4 figures